Desuden, som de viste i papiret "Direct bandgap emission from hexagonal germanium and silicium-germanium alloys", offentliggjort i tidsskriftet Nature, var de i stand til det.Strålingsbølgelængden er kontinuerligt justerbar over et bredt område.Ifølge dem kunne disse nye opdagelser tillade udviklingen af fotoniske chips direkte i silicium-germanium integrerede kredsløb.
Nøglen til at konvertere SiGe-legeringer til direkte båndgab-emittere er at opnå germanium og germanium-siliciumlegeringer med en sekskantet gitterstruktur.Forskere ved det tekniske universitet i Eindhoven brugte sammen med kolleger fra det tekniske universitet i München og universiteterne i Jena og Linz nanotråde lavet af et andet materiale som skabeloner for sekskantet vækst.
Nanotrådene tjener derefter som skabeloner for en germanium-siliciumskal, hvorpå det underliggende materiale pålægger en sekskantet krystalstruktur.I starten kunne disse strukturer dog ikke ophidses til at udsende lys.Efter at have udvekslet ideer med kolleger på Walther Schottky Instituttet ved det tekniske universitet i München, analyserede de de optiske egenskaber for hver generation og optimerede til sidst fremstillingsprocessen til det punkt, hvor nanotrådene faktisk kunne udsende lys.
"Samtidig har vi opnået en præstation, der næsten kan sammenlignes med indiumphosphid eller galliumarsenid," siger prof. Erik Bakkers fra Eindhoven University of Technology.Derfor kan skabelsen af lasere baseret på germanium-silicium-legeringer, der kan integreres i konventionelle fremstillingsprocesser, kun være et spørgsmål om tid.
"Hvis vi optisk kunne levere intern og inter-chip elektronisk kommunikation, kunne hastigheden øges med en faktor på 1.000," sagde Jonathan Finley, professor i halvlederkvante-nanosystemer ved TUM.kan reducere antallet af laserradarer, kemiske sensorer til medicinsk diagnostik og chips til måling af luft- og fødevarekvalitet markant."
Siliciumgermaniumlegeringen smeltet af vores virksomhed kan acceptere tilpassede proportioner
Indlægstid: 21-jun-2023