Siliciumbaseret fotonik betragtes i øjeblikket som den næste generations fotonikplatform for indlejret kommunikation.Udviklingen af kompakte optiske modulatorer med lav effekt er dog fortsat en udfordring.Her rapporterer vi en gigantisk elektro-optisk effekt i Ge/SiGe koblede kvantebrønde.Denne lovende effekt er baseret på den unormale kvante Stark-effekt på grund af den separate indeslutning af elektroner og huller i koblede Ge/SiGe kvantebrønde.Dette fænomen kan bruges til væsentligt at forbedre ydeevnen af lysmodulatorer sammenlignet med de standardmetoder, der hidtil er udviklet inden for siliciumfotonik.Vi har målt ændringer i brydningsindekset op til 2,3 × 10-3 ved en forspænding på 1,5 V med en tilsvarende modulationseffektivitet VπLπ på 0,046 Vcm.Denne demonstration baner vejen for udviklingen af effektive højhastighedsfasemodulatorer baseret på Ge/SiGe materialesystemer.
Indlægstid: Jun-06-2023